계산전자공학 입문

반도체 공정

홍성민

GIST PRESS(광주과학기술원)

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9791190961264

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Publication Date	2025/03/31
Pages/Weight/Size	18825720mm
ISBN	9791190961264
Categories	대학교재 > 공학계열

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Description

『계산전자공학 입문』은 반도체 소자를 제조하는 과정에서 필요한 중요한 공정들에 대한 시뮬레이션 기법들을 설명하며 산화 공정, 확산 공정, 이온 주입 공정의 기본 원리들을 소개하고 이들을 컴퓨터 시뮬레이션으로 다루어 본다. 아울러 박막 증착 공정과 식각 공정을 위한 공정 에뮬레이션을 간단히 소개한다. 계산전자공학 분야의 특성상, 실제 수치해석 프로그램을 작성하는 것이 필수적이므로, 이에 대한 적절한 수준의 실습 예제들을 제시하여 피상적인 이해를 뛰어넘을 수 있도록 하였다.

Contents

머리말
감사의 글
주요 표기법
주요 상수들

CHAPTER 01 서 론

1.1 계산전자공학에 대하여
1.2 공정 시뮬레이션에서 다루는 범위
1.3 구조의 표현
1.4 역사적인 발전

CHAPTER 02 2차원/3차원 구조, 과도 응답, 희소 행렬

2.1 들어가며
2.2 2차원/3차원 구조
2.3 Laplace 방정식의 구현
2.4 과도 응답
2.5 희소 행렬

CHAPTER 03 산화 공정

3.1 들어가며
3.2 산화 공정의 원리
3.3 Deal-Grove 모델의 유도
3.4 Deal-Grove 모델의 수치해석적 구현
3.5 1차원 부피 팽창
3.6 Deal-Grove 모델의 2차원 확장
3.7 산화 공정 시뮬레이션

CHAPTER 04 확산 공정

4.1 들어가며
4.2 확산 공정의 원리
4.3 단순한 확산 시뮬레이션
4.4 경계 조건
4.5 2차원 확장
4.6 여러 종류의 불순물 확산
4.7 전기장 효과
4.8 발전된 확산 시뮬레이션 기법들

CHAPTER 05 이온 주입 공정

5.1 들어가며
5.2 이온 주입의 원리
5.3 주입된 이온의 분포에 대한 해석적인 식들
5.4 Monte Carlo 기법
5.5 Monte Carlo 기법의 적용 예

CHAPTER 06 공정 에뮬레이션

6.1 들어가며
6.2 공정 에뮬레이션의 필요성
6.3 Level-set 함수
6.4 Level-set 방정식
6.5 발전된 공정 에뮬레이션 기법들

CHAPTER 07 MOSFET 공정

7.1 들어가며
7.2 서울대학교 반도체공동연구소 0.25 마이크론 CMOS 공정
7.3 공정 시뮬레이션

CHAPTER 08 마무리

8.1 요약
8.2 다루지 못한 관련 주제들

참고문헌
찾아보기
지은이 소개

Author

홍성민

2001년과 2007년에 서울대학교에서 학사 학위와 박사 학위를 받았다. 독일 뮌헨 연방군 대학교에서 박사후 연구원으로 일한 이후에, 2011년부터 2013년까지 미국 캘리포니아주 산호세에 있는 삼성 연구소에서 일했다. 2013년에 광주과학기술원에 부임하여 현재 부교수로 재직중이다. 연구 주제는 반도체 소자 시뮬레이션이며, IEEE Transactions on Electron Devices의 Associate Editor로 활동하고 있다.