제4장 물리적 증착
4.1 스퍼터링 현상
4.2 방전 방법에 따른 각종 스퍼터 방법
4.3 스퍼터 박막 제작환경
4.4 특수한 스퍼터 기술
4.5 스퍼터링 조건
4.6 스퍼터의 구조 및 비형평 마크네트론 스퍼터
제5장 화학적 증착
5.1 기상화학증착(CVD)의 개요
5.2 CVD(chemical vapor deposition)의 기초적 이론
5.3 에피택션(epitaxial) 실리콘 및 다결정 실리콘 박막 제작
5.4 W 박막 제작
5.5 알루미늄(AI) 박막 제작
5.6 실리콘 산화막 제작
5.7 비정질 실리콘 박막 제작
5.8 여러 가지 중요한 CVD 방법
5.9 특수한 박막 제작 방법
제6장 박막제작의 전처리 및 결함
6.1 기판의 전처리
6.2 타게트의 선택과 전처리
6.3 미소 결함과 그 대책
제7장 박막의 미세구조와 특성
7.1 박막의 기본 성질을 결정하는 미세구조
7.2 내부응력
7.3 박막으 ㅣ성장과정
7.4 부착력
제8장 박막의 분석 및 평가
8.1 박막의 여러 가지 특성 평가방법
8.2 박막 두께 측정
8.3 조성 분석ㄷ 방법
8.4 외관형상 관찰
8.5 조성 분석의 해석
8.6 화학적 결합상태 해석
8.7 기계적 특성의 해석
8.8 전기저항의 측정
8.9 광학특성의 측정
제9장 IC 및 전자부품에서의 박막 응용
9.1 집적회로와 박막기술의 응용
9.2 초 LSI (ULSI)
제10장 자기기록 박막
10.1 하드 디스크
10.2 박막 자기 테이프
10.3 수직자기기록 재료
10.4 광자기 기록 디스크
제11장 디스플레이 박막
11.1 각종 디스플레이 디바이스(display device)
11.2 액정 표시 디바이스(LCD: Liquid Crystal Device)
11.3 발광 다이오드(LED: Light Emitted Diode)
11.4 형광 표시판
11.5 플라즈마 표시판넬(PDP: Plasma Display Pannel)
11.6 일렉트로 루미네선스(EL: Electro Luminescenece)